SiZ730DT-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SiZ730DT-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V 16/35A 27/48W 9.3/3.9mohm @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	12.9 A
Pd - рассеивание мощности	3.9 W, 4.6 W
Qg - заряд затвора	15.6 nC, 43 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	7.5 mOhms, 3.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	15 ns
Время спада	7 ns, 10 ns
Другие названия товара №	SIZ730DT-GE3
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	48 S, 80 S
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIZxxxDT
Тип транзистора	2 N-Channel
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	WDFN-6

Метки: