SI7758DP-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI7758DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 3000

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V 60A 104W 2.9mohm @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	34.6 A
Pd - рассеивание мощности	6.25 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	25 ns
Время спада	30 ns
Другие названия товара №	SI7758DP-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single with Schottky Diode
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	56 ns
Типичное время задержки при включении	53 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SO-8

Метки: