+7(8482)93-11-33
+79277730386
2SC3649T-TD-E
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2SC3649T-TD-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: 2SC3649T-TD-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 1.5A 160V
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 180 V, 180 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 160 V, 160 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 200 mV, 130 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 6 V, 6 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 120 MHz |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SC3649 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-89 |
Страница создана за 0.576 секунд.