IPP052NE7N3 G

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPP052NE7N3 G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IPP052NE7N3 G Лист данных	скачать

МОП-транзистор N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	80 A
Pd - рассеивание мощности	150 W
Qg - заряд затвора	51 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	5.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	75 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.1 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	11 ns
Время спада	8 ns
Другие названия товара №	IPP052NE7N3GXK IPP052NE7N3GXKSA1 SP000641726
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	OptiMOS
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	103 S, 52 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	500
Серия	OptiMOS 3
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	30 ns
Типичное время задержки при включении	14 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: