NTLJD3115PT1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NTLJD3115PT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	3.3 A
Pd - рассеивание мощности	1.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	106 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	13.2 ns, 15 ns
Время спада	13.2 ns, 15 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	NTLJD3115P
Тип транзистора	2 P-Channel
Типичное время задержки выключения	13.7 ns, 19.8 ns
Типичное время задержки при включении	5.2 ns, 5.5 ns
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DFN-2020-6

Метки: