MMBTH10M3T5G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: MMBTH10M3T5G
Нормоупаковка: 8000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 16000

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT SOT723 VHF NPN TRANS

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	640 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	60 at 4 mA at 10 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	60 at 4 mA at 10 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	3 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	650 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	8000
Серия	MMBTH10M3
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-723

Метки: