+7(8482)93-11-33
+79277730386
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 50 at 300 mA at 10 V |
Конфигурация | Quad |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 200 MHz |
Производитель | Central Semiconductor |
Серия | MPQ29 |
Технология | Si |
Торговая марка | Central Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-116-14 |