IXFX200N10P

Производитель: IXYS
Номер части: IXFX200N10P
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 200 Amps 100V 0.0075 Rds

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	200 A
Pd - рассеивание мощности	830 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	7.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	35 ns
Время спада	90 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HyperFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXFX200N10
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	150 ns
Типичное время задержки при включении	30 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	PLUS-247-3

Метки: