IXFN320N17T2

Производитель: IXYS
Номер части: IXFN320N17T2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR МОП-транзистор

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	260 A
Pd - рассеивание мощности	1.07 kW
Qg - заряд затвора	640 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	5.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	170 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	170 ns
Время спада	230 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HiPerFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	120 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	IXYS
Серия	IXFN320N17
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	115 ns
Типичное время задержки при включении	46 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT-227-4

Метки: