PMGD780SN,115

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PMGD780SN,115
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-CH TRENCH DL 60V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	490 mA
Pd - рассеивание мощности	410 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	780 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4 ns
Время спада	4 ns
Другие названия товара №	PMGD780SN T/R
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	5 ns
Типичное время задержки при включении	2 ns
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-363-6

Метки: