+7(8482)93-11-33
+79277730386
SI8809EDB-T2-E1
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI8809EDB-T2-E1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: SI8809EDB-T2-E1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор 20V 2.6A 0.9W 90mOhms @ 4.5V
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | - 2.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 900 mW |
| Qg - заряд затвора | 6 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 90 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | MicroFoot-4 |
Страница создана за 0.318 секунд.