PMBTA42DS,125

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PMBTA42DS,125
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 6-Pin

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	700 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	40
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	200 mA
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	300 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	300 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	50 MHz
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	PMBTA42DS
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-457

Метки: