2SAR523UBTL

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: 2SAR523UBTL
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT GP Amplification Trans

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	120
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 0.15 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	300 MHz
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	2SAR523UB
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	UMT-3F

Метки: