+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
MJ15001G Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 200 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 25 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 15 A |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 140 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 2 MHz |
Производитель | ON Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 100 |
Серия | MJ15001 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Tray |
Упаковка / блок | TO-204-2 (TO-3) |