SBC808-25LT1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: SBC808-25LT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR SPCL TR

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	300 mW
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	160 at 100 mA at 1 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	160 at 100 mA at 1 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BC808
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23

Метки: