SCT2160KEC

SCT2160KEC

SCT2160KEC
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: SCT2160KEC
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 32 недель
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
SCT2160KEC Лист данных скачать
МОП-транзистор 1200V20A160mOhm Silicon Carbide SiC
МОП-транзистор
Подкатегория MOSFETs
Тип продукта MOSFET
Id - непрерывный ток утечки 22 A
Pd - рассеивание мощности 165 W
Qg - заряд затвора 62 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 160 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 1200 V
Vgs - напряжение затвор-исток - 6 V, 22 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.6 V
Вес изделия 38 g
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 25 ns
Время спада 27 ns
Другие названия товара № SCT2160KE
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 2.4 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки 360
Серия SCT2x
Технология SiC
Тип транзистора 1 N-Channel Power MOSFET
Типичное время задержки выключения 67 ns
Типичное время задержки при включении 23 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541290000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
USHTS 8541290095
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.477 секунд.