FZT655TA

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: FZT655TA
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	2 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	50 at 10 mA at 5 V, 50 at 500 mA at 5 V, 20 at 1 A at 5 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	50
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	150 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	150 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	180 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	30 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FZT655
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-223

Метки: