PMBF170,235

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PMBF170,235
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-channel TrenchMOS intermed level FET

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	300 mA
Pd - рассеивание мощности	830 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	75 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	100 mS
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	10000
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	12 ns
Типичное время задержки при включении	3 ns
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: