IPD60R180C7ATMA1

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPD60R180C7ATMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IPD60R180C7ATMA1 Лист данных	скачать

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

МОП-транзистор
Высота	2.3 mm
Длина	6.5 mm
Ширина	6.22 mm
Id - непрерывный ток утечки	13 A
Pd - рассеивание мощности	68 W
Qg - заряд затвора	24 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вес изделия	4 g
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	7 ns
Время спада	6 ns
Другие названия товара №	IPD60R180C7 SP001277630
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	CoolMOS
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	CoolMOS C7
Технология	Si
Типичное время задержки выключения	50 ns
Типичное время задержки при включении	9.3 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-252-3
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000

Метки: