SI8425DB-T1-E1

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI8425DB-T1-E1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор -20V 23mOhm@4.5V 9.3A P-Ch G-III

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 9.3 A
Pd - рассеивание мощности	2.7 W
Qg - заряд затвора	110 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	23 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 900 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	50 ns
Время спада	200 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MICROFOOT TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	18 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	600 ns
Типичное время задержки при включении	50 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	MicroFoot-4

Метки: