MSA1162GT1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: MSA1162GT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 60V PNP

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	0.2 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	200
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	80 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	MSA1162
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-59-3

Метки: