IPB160N04S3-H2

IPB160N04S3-H2

IPB160N04S3-H2
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPB160N04S3-H2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации: NRND: Не рекомендуется для новых разработок.
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IPB160N04S3-H2 Лист данных скачать
МОП-транзистор N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T
МОП-транзистор
Высота 4.4 mm
Длина 10 mm
Квалификация AEC-Q101
Ширина 9.25 mm
Id - непрерывный ток утечки 160 A
Pd - рассеивание мощности 214 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вес изделия 1.600 g
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 16 ns
Время спада 17 ns
Другие названия товара № IPB160N04S3H2ATMA1 IPB16N4S3H2XT SP000254818
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение OptiMOS
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 1000
Серия OptiMOS-T
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 46 ns
Типичное время задержки при включении 30 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel
Упаковка / блок TO-263-7
CNHTS 8541290000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
Метки:
Страница создана за 0.575 секунд.