NVD5865NLT4G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NVD5865NLT4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор NFET 60V 34A 18MOHM

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	46 A
Pd - рассеивание мощности	71 W
Qg - заряд затвора	29 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	16 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	12.4 ns
Время спада	4.4 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	15 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	NVD5865NL
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	26 ns
Типичное время задержки при включении	8.4 ns
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DPAK-3

Метки: