SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIRA18DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 15 недель
Срок эксплуатации: Вышло из употребления
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
SIRA18DP-T1-GE3 Лист данных скачать
МОП-транзистор 30V 7.5mOhm@10V 13.3A N-Ch G-IV
МОП-транзистор
Высота 1.04 mm
Длина 6.15 mm
Подкатегория MOSFETs
Тип продукта MOSFET
Ширина 5.15 mm
Id - непрерывный ток утечки 33 A
Pd - рассеивание мощности 14.7 W
Qg - заряд затвора 21.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, - 16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
Вес изделия 506.600 mg
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 9 ns
Время спада 5 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 54 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Vishay
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SIR
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 15 ns
Типичное время задержки при включении 11 ns
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Упаковка / блок PowerPAK-SO-8
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541290000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
USHTS 8541290095
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.147 секунд.