+7(8482)93-11-33
+79277730386
PT5529B/L2-F
Производитель: Everlight
Номер части: PT5529B/L2-F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: PT5529B/L2-F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| PT5529B/L2-F Лист данных | скачать |
Фототранзисторы IR Phototransistor
| Фототранзисторы | |
| Pd - рассеивание мощности | 75 mW |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 15 us |
| Время спада | 15 us |
| Длина волны | 940 nm |
| Категория продукта | Фототранзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Максимальный ток коллектора во включенном состоянии | 20 mA |
| Минимальная рабочая температура | - 25 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30 V |
| Продукт | Phototransistors |
| Производитель | Everlight |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Темновой ток | 100 nA |
| Тип | Side Face Silicon Phototransistor |
| Торговая марка | Everlight |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | Side View |
Страница создана за 0.208 секунд.