+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
STW26NM60N Лист данных (PDF) | скачать |
МОП-транзистор | |
Высота | 20.15 mm |
Длина | 15.75 mm |
Подкатегория | MOSFETs |
Тип | Power MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Ширина | 5.15 mm |
Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
Pd - рассеивание мощности | 140 W |
Qg - заряд затвора | 60 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 165 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вес изделия | 38 g |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 25 ns |
Время спада | 50 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | STMicroelectronics |
Размер фабричной упаковки | 600 |
Серия | STW26NM60N |
Технология | Si |
Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 85 ns |
Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
CAHTS | 8541290000 |
CNHTS | 8541210000 |
ECCN | EAR99 |
JPHTS | 8541290100 |
KRHTS | 8541299000 |
MXHTS | 85412101 |
TARIC | 8541210000 |
USHTS | 8541290095 |