SBCP56-16T3G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: SBCP56-16T3G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 80V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1.5 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	130 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	SBCP56
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-223

Метки: