SIR808DP-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIR808DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	20 A
Pd - рассеивание мощности	29.8 W
Qg - заряд затвора	15.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	7.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	25 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	7 ns
Другие названия товара №	SIR808DP-GE3
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	36 S
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIRxxxDP
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	14 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SO-8

Метки: