BC550B A1

Производитель: Taiwan Semiconductor
Номер части: BC550B A1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	500 mW
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	200 at 2 mA at 5 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	450 at 2 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	200 mA
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Производитель	Taiwan Semiconductor
Размер фабричной упаковки	4000
Торговая марка	Taiwan Semiconductor
Упаковка	Ammo Pack
Упаковка / блок	TO-92-3

Метки: