CMLT5551HC TR

Производитель: Central Semiconductor
Номер части: CMLT5551HC TR
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 6000

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT Small Signal NPN Hi Volt

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	350 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	10 at 1 A, 10 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	160 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	Central Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	CMLT5551
Торговая марка	Central Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-563

Метки: