SSVBC846BPDW1T1G

SSVBC846BPDW1T1G

SSVBC846BPDW1T1G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: SSVBC846BPDW1T1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
SSVBC846BPDW1T1G Лист данных скачать
Биполярные транзисторы - BJT SS DUAL GEN XSTR
Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe 200
Конфигурация Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 475
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора - 100 mA, 100 mA
Минимальная рабочая температура - 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) -80 V, 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. -65 V, 65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 0.3 V, 0.25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V, 6 V
Полярность транзистора NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz
Производитель ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SSVBC846BPDW1T1G
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Reel
Упаковка / блок SOT-363
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.629 секунд.