PEMT1,115

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PEMT1,115
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	PEMT1 T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	120
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	120 at 1 mA at 6 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 200 mA
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	4000
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-666

Метки: