IMT18T110

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: IMT18T110
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IMT18T110 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN

Биполярные транзисторы - BJT
TARIC (Единый тариф ЕЭС)	8541290000
Высота	1.1 mm
Длина	2.9 mm
Код HTS	8541290095
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	270 at 10 mA at 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	260 MHz
Ширина	1.6 mm
Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	IMT18
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	270 at 10 mA at 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	15 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	12 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	PNP
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999
TARIC (Единый тариф ЕЭС)	8541290000

Метки: