PMBT5551,215

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PMBT5551,215
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN HV 300mA 160V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	PMBT5551 T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	80 at 1 mA at 5 V, 80 at 10 mA at 5 V, 30 at 50 mA at 5 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	80 at 1 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.3 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	160 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	300 MHz
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	3000
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23

Метки: