SiHG32N50D-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SiHG32N50D-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 500V 150mOhm@10V 30A N-Ch D-SRS

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	30 A
Pd - рассеивание мощности	390 W
Qg - заряд затвора	96 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	150 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	75 ns
Время спада	55 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	11 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	500
Серия	E
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	58 ns
Типичное время задержки при включении	27 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3

Метки: