SI5513CDC-T1-E3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI5513CDC-T1-E3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V 4.0/3.7A 3.1W 55/150mohm @ 4.5V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	4 A
Pd - рассеивание мощности	3.1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	45 mOhms, 120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	9 ns, 40 ns
Время спада	10 ns, 9 ns at N Channel, 12 ns, 40 ns at P Channel
Другие названия товара №	SI5513CDC-E3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	1 N-Channel, 1 P-Channel
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	14 ns, 15 ns
Типичное время задержки при включении	8 ns, 19 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	ChipFET-8

Метки: