BCW 68G E6327

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BCW 68G E6327
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	330 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	BCW68GE6327HTSA1 BCW68GE6327XT SP000015039
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	50 at 100 uA at 10 V, 120 at 10 mA at 1 V, 160 at 100 mA at 1 V, 60 at 500 mA at 2 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.8 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	2 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	200 MHz
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BCW68
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: