TK65G10N1,RQ

Производитель: Toshiba
Номер части: TK65G10N1,RQ
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	136 A
Pd - рассеивание мощности	156 W
Qg - заряд затвора	81 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	19 ns
Время спада	26 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Toshiba
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	85 ns
Типичное время задержки при включении	44 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	D2PAK-3

Метки: