IPB017N06N3GXT

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPB017N06N3GXT
Нормоупаковка: 1000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1000

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	180 A
Pd - рассеивание мощности	250 W
Qg - заряд затвора	275 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	2 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	80 ns
Время спада	24 ns
Другие названия товара №	G IPB017N06N3 IPB017N06N3GATMA1 SP000434404
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	198 S, 99 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	79 ns
Типичное время задержки при включении	41 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	D2PAK-7

Метки: