FJV42MTF

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FJV42MTF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage Transistor

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	350 mW
Вес изделия	60 mg
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	40
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	350 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	350 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	50 MHz
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	FJV42MTF
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23

Метки: