+7(8482)93-11-33
+79277730386
GA06JT12-247
Производитель: GeneSiC Semiconductor
Номер части: GA06JT12-247
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: GA06JT12-247
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 9 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 220 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | GA06JT12 |
| Технология | SiC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | GeneSiC Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
Страница создана за 0.285 секунд.