IPD35N10S3L-26

IPD35N10S3L-26

IPD35N10S3L-26
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPD35N10S3L-26
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IPD35N10S3L-26 Лист данных скачать
МОП-транзистор N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
МОП-транзистор
Высота 2.3 mm
Длина 6.5 mm
Квалификация AEC-Q101
Ширина 6.22 mm
Id - непрерывный ток утечки 35 A
Pd - рассеивание мощности 71 W
Qg - заряд затвора 30 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 24 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
Вес изделия 4 g
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 4 ns
Время спада 3 ns
Другие названия товара № IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N1S3L26XT SP000386184
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение OptiMOS
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 2500
Серия OptiMOS-T
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 18 ns
Типичное время задержки при включении 6 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel
Упаковка / блок PG-TO-252-3
CNHTS 8541290000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
Метки:
Страница создана за 0.411 секунд.