+7(8482)93-11-33
+79277730386
МОП-транзистор | |
Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
Qg - заряд затвора | 4.8 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 26 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Полярность транзистора | P-Channel |
Производитель | Toshiba |
Технология | Si |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | UDFN-6 |