SiS778DN-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SiS778DN-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30 Volts 35 Amps 52 Watts

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	35 A
Pd - рассеивание мощности	52 W
Qg - заряд затвора	27.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	12 ns
Время спада	9 ns
Другие названия товара №	SIS778DN-GE3
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single with Schottky Diode
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	60 S
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SISxxxDN
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	20 ns
Типичное время задержки при включении	11 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-1212-8

Метки: