+7(8482)93-11-33
+79277730386
SI7100DN-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI7100DN-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: SI7100DN-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор 8.0V 35A 52W 3.5mohm @ 4.5V
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 26.1 A |
| Pd - рассеивание мощности | 3.8 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 8 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | SI7100DN-GE3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 50 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI71xxDx |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
Страница создана за 0.325 секунд.