+7(8482)93-11-33
+79277730386
2SD2211T100Q
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: 2SD2211T100Q
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 7 недель
Срок эксплуатации:
NRND: Не рекомендуется для новых разработок.
Номер части: 2SD2211T100Q
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 7 недель
Срок эксплуатации:
NRND: Не рекомендуется для новых разработок.Цена: по запросу
| Описание | действие |
| 2SD2211T100Q Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT DVR NPN 160V 1.5A
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 4.5 mm |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Ширина | 2.5 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 120 at 100 mA, 5 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 160 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SD2211 |
| Технология | Si |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| CAHTS | 8541290000 |
| CNHTS | 8541290000 |
| ECCN | EAR99 |
| JPHTS | 8541290100 |
| KRHTS | 8541299000 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
Страница создана за 0.15 секунд.