Si4101DY-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: Si4101DY-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор -30V .006Ohm@10V 25.7A P-Ch G-III

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 25.7 A
Pd - рассеивание мощности	6 W
Qg - заряд затвора	65 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 1 V to - 2.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	9 ns
Время спада	11ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	72 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	2500
Типичное время задержки выключения	80 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SO-8

Метки: