SiHG22N65E-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SiHG22N65E-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 650V 180mOhm@10V 22A N-Ch E-SRS

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	22 A
Pd - рассеивание мощности	227 W
Qg - заряд затвора	110 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	33 ns
Время спада	38 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	E Series
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	6.7 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Серия	E
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	73 ns
Типичное время задержки при включении	22 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-247-3

Метки: