FJP2145TU

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FJP2145TU
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT ESBC Rated NPN Power Transistor

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	120 W
Вес изделия	1.800 g
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	20
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	40
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	1100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	800 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.151 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	15 MHz
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FJP2145
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: