IPD33CN10NGATMA1

IPD33CN10NGATMA1

IPD33CN10NGATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPD33CN10NGATMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
МОП-транзистор MV POWER MOS
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 27 A
Pd - рассеивание мощности 58 W
Qg - заряд затвора 18 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток +/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 21 ns
Время спада 4 ns
Другие названия товара № G IPD33CN10N SP001127812
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 30 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Технология -
Типичное время задержки выключения 17 ns
Типичное время задержки при включении 11 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel
Упаковка / блок TO-252-3
Метки:
Страница создана за 0.439 секунд.